销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：360mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

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输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：360mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

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输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2900，"20+"：21000，"21+"：87000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：720860，"20+"：120000，"21+"：636000，"23+"：15000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1