销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

特征频率：150MHz

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

功率：150mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

功率：230mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：260mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1