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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
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晶体管类型：NPN-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
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集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
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包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
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集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
特征频率：250MHz
功率：350mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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