采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：1609
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
功率：350mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
