销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：320mW

包装方式：卷带（TR）

特征频率：225MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"08+"：500000}

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：150MHz

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：330mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：100MHz

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：330mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：150MHz

集电极电流(Ic)：500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

功率：325mW

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：35000}

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

输入电阻：4.7kΩ

功率：325mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：500mA

特征频率：210MHz

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：420mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

功率：320mW

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

电阻比：10

功率：420mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

最小输入电压(VI(on))：800mV@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：300mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：225MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：320mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：40000，"21+"：5000}

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：150MHz

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

功率：325mW

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：320mW

特征频率：225MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：420mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：150MHz

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：330mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"12+"：1550，"13+"：24000，"14+"：17829，"15+"：27000，"16+"：15000，"18+"：104000，"19+"：2000}

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：330mW

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1