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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
功率：200mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
功率：200mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10KΩ
晶体管类型：PNP
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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晶体管类型：PNP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
特征频率：250MHz
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
功率：150mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
功率：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
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集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：PNP
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：10KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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