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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
输入电阻：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
包装方式：卷带（TR）
功率：100mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：150mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：4.7千欧
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
功率：250mW
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
特征频率：130MHz
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：230mW
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：4.7千欧
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装方式：剪切带（CT）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
输入电阻：10千欧
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：500mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
电阻比：22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：230mW
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
电阻比：4.7千欧
功率：500mW
输入电阻：2.2千欧
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"15+"：9000}
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
电阻比：47千欧
输入电阻：22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"09+"：52000}
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：500mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
电阻比：4.7千欧
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
输入电阻：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
包装方式：卷带（TR）
功率：100mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
功率：250mW
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
特征频率：130MHz
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
