销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2.4V@5mA，0.2V

最大输入电压(VI(off))：1V@0.1mA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.1V@5mA，03V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：100mV@10mA，0.25mA

电阻比：21

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置+二极管

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

电阻比：0.213

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.3V@5mA，0.2V

最大输入电压(VI(off))：500mV@0.1mA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.3V@5mA，0.2V

最大输入电压(VI(off))：500mV@0.1mA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.3V@2mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.3V@2mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2.4V@5mA，0.2V

最大输入电压(VI(off))：1V@0.1mA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

电阻比：0.213

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.3V@2mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：2.4V@5mA，0.2V

最大输入电压(VI(off))：1V@0.1mA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.1V@5mA，03V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：100mV@10mA，0.25mA

电阻比：21

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.3V@5mA，0.2V

最大输入电压(VI(off))：500mV@0.1mA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

功率：100mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：1个NPN-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：150mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：310mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：310mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

功率：300mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1