销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"07+"：3000，"11+"：84000，"16+"：102000，"18+"：108000，"22+"：108000}

输入电阻：1kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

功率：338mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：260mW

输入电阻：1kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：260mW

输入电阻：1kΩ

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：260mW

输入电阻：1kΩ

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：246mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：1个PNP-预偏置

功率：202mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：260mW

输入电阻：1kΩ

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：260mW

输入电阻：1kΩ

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：187mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：246mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：3000，"11+"：84000，"16+"：102000，"18+"：108000，"22+"：108000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：338mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：45000}

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：202mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：261000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：45000，"14+"：48000，"17+"：219000，"22+"：9000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：202mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：297000，"20+"：2800}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1