销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@10mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@5mA，0.2V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@5mA，0.2V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-50℃~+150℃

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@10mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@2mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：500mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@10mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：3V@2mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：300mV@100μA，5V

输出电压(VO(on))：300mV@10mA，0.5mA

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

输入电阻：100kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.5V@1mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

输入电阻：22kΩ

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

输入电阻：100kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.5V@1mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

输入电阻：22kΩ

晶体管类型：2个NPN-预偏置

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个PNP-预偏置

最小输入电压(VI(on))：1.7V@5mA，0.3V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

电阻比：1

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

输入电阻：10kΩ

最小输入电压(VI(on))：1.8V@10mA，0.3V

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1