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    行业应用: 其它
    集电极电流(Ic): 100mA
    集射极击穿电压(Vceo): 50V
    输入电阻: 1kΩ
    当前匹配商品:500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    操作
    扬杰(YANGJIE) 数字晶体管 DTA113ZCA 起订500个装
    扬杰(YANGJIE) 数字晶体管 DTA113ZCA 起订500个装

    品牌:扬杰(YANGJIE)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    最小输入电压(VI(on)):3V@20mA,0.3V

    最大输入电压(VI(off)):300mV@100μA,5V

    输出电压(VO(on)):300mV@10mA,0.5mA

    电阻比:10

    直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTA113TE-7-F 起订200个装
    DIODES 数字晶体管 DDTA113TE-7-F 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    输入电阻:1kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@1mA,10mA

    功率:150mW

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA113EM,315 起订14286个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA113EM,315 起订14286个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"19+":98700,"20+":10000}

    输入电阻:1kΩ

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@40mA,5V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@1.5mA,30mA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5230T1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5230T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZKAT146 起订19个装
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZKAT146 起订19个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    功率:200mW

    直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5230T1G 起订16个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5230T1G 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTA113ZUA-7-F 起订85个装
    DIODES 数字晶体管 DDTA113ZUA-7-F 起订85个装

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):33@10mA,5V

    功率:200mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTC113TCA-7-F 起订50个装
    DIODES 数字晶体管 DDTC113TCA-7-F 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    输入电阻:1kΩ

    功率:200mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@1mA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZMT2L 起订2000个装
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZMT2L 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V

    功率:150mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC013ZUBTL 起订5000个装
    ROHM 数字晶体管 DTC013ZUBTL 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,10V

    输入电阻:1kΩ

    功率:200mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTC113ZE-7-F 起订74个装
    DIODES 数字晶体管 DDTC113ZE-7-F 起订74个装

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V

    功率:150mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2230T1G 起订5358个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2230T1G 起订5358个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"07+":3000,"11+":84000,"16+":102000,"18+":108000,"22+":108000}

    输入电阻:1kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    功率:338mW

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTA113TKAT146 起订100个装
    ROHM 数字晶体管 DTA113TKAT146 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    输入电阻:1kΩ

    功率:200mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA113EM3T5G 起订8000个装
    onsemi 数字晶体管 DTA113EM3T5G 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:260mW

    输入电阻:1kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTC113EET1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 DTC113EET1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTA113TKAT146 起订500个装
    ROHM 数字晶体管 DTA113TKAT146 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    输入电阻:1kΩ

    功率:200mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA113EM3T5G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA113EM3T5G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:260mW

    输入电阻:1kΩ

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA113ZT,215 起订200个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA113ZT,215 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    输入电阻:1kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    功率:250mW

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTA113TKAT146 起订1000个装
    ROHM 数字晶体管 DTA113TKAT146 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    输入电阻:1kΩ

    功率:200mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTA113ZKAT146 起订18个装
    ROHM 数字晶体管 DTA113ZKAT146 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5230T1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5230T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    功率:202mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTA113ZU3T106 起订100个装
    ROHM 数字晶体管 DTA113ZU3T106 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    功率:200mW

    直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZEFRATL 起订100个装
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZEFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V

    功率:150mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTC113EM3T5G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 DTC113EM3T5G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:260mW

    输入电阻:1kΩ

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTA013ZEBTL 起订1000个装
    ROHM 数字晶体管 DTA013ZEBTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1KΩ

    晶体管类型:PNP

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-150mV

    ECCN:EAR99

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    集射极击穿电压(Vceo):-50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):-100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2230LT1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2230LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZKAT146 起订100个装
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZKAT146 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1KΩ

    功率:200mW

    工作温度:-55℃~150℃

    晶体管类型:NPN

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES 数字晶体管 DDTA113TUA-7-F 起订30000个装
    DIODES 数字晶体管 DDTA113TUA-7-F 起订30000个装

    品牌:DIODES

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    输入电阻:1kΩ

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    功率:200mW

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@1mA,10mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31,115 起订14个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31,115 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V

    电阻比:10

    功率:420mW

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    最小输入电压(VI(on)):800mV@20mA,0.3V

    最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZKAT146 起订31个装
    ROHM 数字晶体管 DTC113ZKAT146 起订31个装

    品牌:ROHM

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1KΩ

    功率:200mW

    工作温度:-55℃~150℃

    晶体管类型:NPN

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:250MHz

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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