品牌:扬杰(YANGJIE)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):3V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):300mV@100μA,5V
输出电压(VO(on)):300mV@10mA,0.5mA
电阻比:10
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:1kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
输入电阻:1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@1mA,10mA
功率:150mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"19+":98700,"20+":10000}
输入电阻:1kΩ
集电集截止电流(Icbo):1µA
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@40mA,5V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@1.5mA,30mA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
功率:200mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@10mA,5V
功率:200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
输入电阻:1kΩ
功率:200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@1mA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
功率:150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,10V
输入电阻:1kΩ
功率:200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
功率:150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"07+":3000,"11+":84000,"16+":102000,"18+":108000,"22+":108000}
输入电阻:1kΩ
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
功率:338mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
输入电阻:1kΩ
功率:200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:260mW
输入电阻:1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
功率:200mW
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
输入电阻:1kΩ
功率:200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:260mW
输入电阻:1kΩ
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电集截止电流(Icbo):100nA
输入电阻:1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
功率:250mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,5V
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
输入电阻:1kΩ
功率:200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
功率:200mW
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
功率:200mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
功率:150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:260mW
输入电阻:1kΩ
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1KΩ
晶体管类型:PNP
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-150mV
ECCN:EAR99
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
集射极击穿电压(Vceo):-50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):-100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
功率:246mW
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1KΩ
功率:200mW
工作温度:-55℃~150℃
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
输入电阻:1kΩ
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
功率:200mW
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@1mA,10mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
电阻比:10
功率:420mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
最小输入电压(VI(on)):800mV@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:1KΩ
功率:200mW
工作温度:-55℃~150℃
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存: