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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：170MHz
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
特征频率：190MHz
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：150MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：100mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：140MHz
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
特征频率：230MHz
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：480mW
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
特征频率：130MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：150MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
特征频率：170MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
特征频率：180MHz
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：260mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
功率：100mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
特征频率：150MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：NPN-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：140MHz
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10µA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
特征频率：190MHz
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"08+"：30000}
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
特征频率：200MHz
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10µA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
