销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

特征频率：100MHz

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：330mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

功率：150mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：260MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：12V

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：40V

晶体管类型：NPN

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@5mA，100mA

特征频率：260MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：12V

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V

特征频率：100MHz

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：330mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：39@50mA，5V

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：100MHz

功率：330mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：25000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：210MHz

功率：325mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：39@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：39@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2930，"20+"：28000，"21+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1