采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：140MHz
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：320mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：320mW
包装方式：卷带（TR）
特征频率：225MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"08+"：500000}
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
特征频率：150MHz
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：330mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
特征频率：100MHz
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：330mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：140MHz
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：500mA
功率：285mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V€68@100mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
特征频率：150MHz
集电极电流(Ic)：500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
功率：325mW
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：470Ω
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"18+"：35000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
功率：325mW
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：210MHz
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：420mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：47@50mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：47@50mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：47@50mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：100MHz
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：330mW
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
功率：320mW
包装方式：卷带（TR）
特征频率：140MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@50mA，5V
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
