销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：12V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：12V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：12V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V

集电极电流(Ic)：500mA

集射极击穿电压(Vceo)：12V

功率：150mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1