采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：2080，"18+"：75000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
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品牌：NEXPERIA
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
特征频率：130MHz
功率：760mW
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA，1.8A
电阻比：4.7千欧
功率：760mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA
特征频率：130MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 200 @ 1A，2V
包装清单：商品主体 * 1
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