销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：9000，"09+"：1305000，"14+"：6000，"16+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：175欧姆，10千欧

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：175欧姆，10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：21

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：2759，"19+"：56152}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：350mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：5000，"19+"：5000}

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：21

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：9000，"09+"：1305000，"14+"：6000，"16+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：175欧姆，10千欧

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：200mA

输入电阻：175欧姆，10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：350mW

晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：350mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1