采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"09+"：3124，"10+"：19543，"13+"：696，"14+"：57000}
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：150mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"06+"：3000，"10+"：18000，"12+"：17750，"14+"：6000，"15+"：12000，"9999"：1926}
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：150mW
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
输入电阻：22kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"19+"：98700，"20+"：10000}
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@40mA，5V
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@1.5mA，30mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：4.7千欧
特征频率：230MHz，180MHz
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
电阻比：4.7千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"22+"：12000}
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
特征频率：230MHz
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：480mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"10+"：30000}
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"09+"：53500}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@10mA，70mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
输入电阻：100kΩ
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"19+"：79997}
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：100kΩ
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
