销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：400mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：20V

特征频率：35MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：400mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：20V

特征频率：35MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

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工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：400mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：20V

特征频率：35MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：400mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：20V

特征频率：35MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：400mA

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：20V

特征频率：35MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1