品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
输入电阻:22kΩ
功率:246mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22KΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22kΩ
功率:150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22kΩ
功率:150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):50mA
功率:150mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:22kΩ
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
特征频率:250MHz
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
输入电阻:22kΩ
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
输入电阻:22kΩ
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":9000,"07+":66000,"12+":18000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"21+":6000,"22+":36000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:338mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"14+":312000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:254mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):50mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: