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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：312000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"13+"：80000，"18+"：32000，"19+"：16000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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生产批次：{"14+"：312000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
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生产批次：{"13+"：133500，"18+"：160000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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生产批次：{"14+"：320000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：254mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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行业应用：工业,其它
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生产批次：{"13+"：133500，"18+"：160000}
功率：254mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：22kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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