销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

功率：200mW

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集电极电流(Ic)：60mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：30mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：30mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：800mA

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：90@100mA，1V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，2.5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：30mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1