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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：85500，"08+"：7973，"11+"：21000，"15+"：19000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：7888，"20+"：48000，"22+"：48000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
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输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：2317，"05+"：2038000，"06+"：288000，"07+"：2934，"08+"：80000，"09+"：8500，"21+"：96000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：NPN-预偏压
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：7725，"05+"：16000，"06+"：655120，"12+"：8000，"15+"：56000，"16+"：82900，"18+"：24000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
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输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：260mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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