采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
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特征频率：150MHz
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
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ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
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ECCN：EAR99
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
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晶体管类型：NPN-预偏压
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
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晶体管类型：NPN-预偏压
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生产批次：{"20+"：12000，"21+"：36000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：150MHz
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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ECCN：EAR99
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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ECCN：EAR99
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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功率：250mW
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
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集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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功率：250mW
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：80V
特征频率：170MHz
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晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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