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    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订17个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订17个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订17个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订17个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订100个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订27个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订27个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

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    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订1000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

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    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订27个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订27个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

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    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订500个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

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    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订1000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

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    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订100个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

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    特征频率:200MHz

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    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订500个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

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    输入电阻:10kΩ

    集电集截止电流(Icbo):100nA

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    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

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    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订3000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

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    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订9000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订9000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

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    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订150000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订150000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

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    特征频率:200MHz

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订6000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订6000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

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    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订15000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订15000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订75000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订75000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订300000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2311,LF 起订300000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:200MHz

    功率:100mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

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