品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2318CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L-L701
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:30mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
输入电容:650pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:8.7A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:39A
漏源电压:40V
导通电阻:24mΩ@8,2A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:66W
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1250pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4051LK3-13
输入电容:674pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
功率:2.14W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:51mΩ@12A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4065S-13
功率:720mW
导通电阻:80mΩ@4.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:587pF@20V
栅极电荷:12.2nC@10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
功率:720mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:574pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:27nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:8.4A€32A
输入电容:2380pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4015SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.2W
连续漏极电流:8.6A€6.2A
输入电容:1810pF@20V
类型:N和P沟道
导通电阻:15mΩ@3A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:11A
栅极电荷:140nC@10V
导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V
类型:P沟道
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7241TRPBF
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:41mΩ@6.2A,10V
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4189
输入电容:1870pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:2.5W€62.5W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:22mΩ@12A,10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:27A€141A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
输入电容:5300pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4599DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3W€3.1W
输入电容:640pF@20V
类型:N和P沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.8A€5.8A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: