采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC026N04LSATMA1
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
输入电容：2300pF@20V
功率：2.5W€63W
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：23A€100A
栅极电荷：32nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：17085，"16+"：17740，"19+"：16503}
规格型号(MPN)：IPB100N04S2L03ATMA2
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：6000pF@25V
栅极电荷：230nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：3mΩ@80A，10V
连续漏极电流：100A
功率：300W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ034N04LSATMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：2.1W€52W
栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：19A€40A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
功率：2.5W€69W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ912BEP-T1_GE3
导通电阻：11mΩ@9A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：48W
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
输入电容：6800pF@20V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：38A€100A
功率：2.5W€139W
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：38A€200A
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
功率：3.2W€139W
栅极电荷：143nC@10V
连续漏极电流：46A€302A
ECCN：EAR99
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ912BEP-T1_GE3
导通电阻：11mΩ@9A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：48W
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSIATMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
连续漏极电流：31A€100A
栅极电荷：55nC@10V
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：4000pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
连续漏极电流：35A€210A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
阈值电压：2V@250µA
功率：3.1W€110W
输入电容：4550pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC026N04LSATMA1
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
输入电容：2300pF@20V
功率：2.5W€63W
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：23A€100A
栅极电荷：32nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NLT1G
输入电容：12168pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：3.2W€167W
栅极电荷：181nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：52A€370A
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：38A€200A
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：3490}
规格型号(MPN)：NVMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：4.2W€180W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：56A€368A
输入电容：9600pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
ECCN：EAR99
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"01+"：2920}
规格型号(MPN)：SPP80N04S2L-03
连续漏极电流：80A
输入电容：7930pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：213nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
功率：300W
ECCN：EAR99
导通电阻：3.4mΩ@80A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4564DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：10A€9.2A
阈值电压：2V@250µA
输入电容：855pF@20V
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
类型：N和P沟道
功率：3.1W€3.2W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC019N04LSATMA1
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：27A€100A
阈值电压：2V@250µA
输入电容：2900pF@20V
功率：2.5W€78W
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：3100pF@20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：31A€150A
功率：3.7W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：5700pF@20V
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
栅极电荷：89nC@10V
连续漏极电流：41A€270A
ECCN：EAR99
功率：3.2W€140W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：4.2W€180W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：56A€368A
输入电容：9600pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：38A€200A
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ912BEP-T1_GE3
导通电阻：11mΩ@9A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：48W
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
类型：N沟道
功率：68W
输入电容：2100pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：107A
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLWFAFT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：38A€200A
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSIATMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
连续漏极电流：31A€100A
栅极电荷：55nC@10V
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
输入电容：4000pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
功率：2.5W€69W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
功率：3.2W€55W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：20A€85A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：16000，"16+"：20500}
规格型号(MPN)：IPP100N04S2L03AKSA2
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：6000pF@25V
栅极电荷：230nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
功率：300W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
