品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:60A
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
输入电容:3240pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA58ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
功率:5W€56.8W
输入电容:3030pF@20V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:32.3A€109A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3750pF@20V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18514Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:89A
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
功率:74W
输入电容:2683pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:3780pF@20V
类型:N沟道
功率:78W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:660mW
栅极电荷:19.1nC@10V
连续漏极电流:8A
输入电容:1060pF@20V
导通电阻:20mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.63mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:4.8W€48W
输入电容:5500pF@20V
连续漏极电流:41.6A€131A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.63mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:4.8W€48W
输入电容:5500pF@20V
连续漏极电流:41.6A€131A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
连续漏极电流:15A€50A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:3.1W€77W
输入电容:1656pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:60A
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
输入电容:3240pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRB40DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:4290pF@20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
功率:46.2W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:89A
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:2680pF@20V
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
功率:74W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4882
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8A,10V
输入电容:415pF@20V
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4882
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8A,10V
输入电容:415pF@20V
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):CSD18511KTT
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:5940pF@20V
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
连续漏极电流:194A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4047LSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:24mΩ@6A,10V
连续漏极电流:7A€5.1A
功率:1.3W
类型:N和P沟道
输入电容:1060pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA72ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6236
输入电容:1225pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:4.2W€39W
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:19A€30A
ECCN:EAR99
导通电阻:7mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:3780pF@20V
类型:N沟道
功率:78W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:3780pF@20V
类型:N沟道
功率:78W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18514Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:89A
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
功率:74W
输入电容:2683pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:60A
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
输入电容:3240pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6236
输入电容:1225pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:4.2W€39W
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:19A€30A
ECCN:EAR99
导通电阻:7mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
连续漏极电流:15A€50A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:3.1W€77W
输入电容:1656pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3750pF@20V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:60A
功率:27.7W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA58ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
功率:5W€56.8W
输入电容:3030pF@20V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:32.3A€109A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:660mW
栅极电荷:19.1nC@10V
连续漏极电流:8A
输入电容:1060pF@20V
导通电阻:20mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.63mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
功率:4.8W€48W
输入电容:5500pF@20V
连续漏极电流:41.6A€131A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18504Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
栅极电荷:9.2nC@4.5V
连续漏极电流:50A
功率:3.1W€77W
输入电容:1656pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4836}
规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300A
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:16000pF@20V
栅极电荷:269nC@4.5V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.72mΩ@100A,10V
功率:500W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: