品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3
功率:6.25W€100W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:62.5A€100A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:8445pF@20V
栅极电荷:194nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:1mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:33mΩ@4.4A,10V
栅极电荷:23.2nC@10V
输入电容:1382pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047LFDE-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:33mΩ@4.4A,10V
栅极电荷:23.2nC@10V
输入电容:1382pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
功率:6.25W€100W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:7300pF@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:54.8A€219A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3
导通电阻:24mΩ@6.8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N和P沟道
连续漏极电流:8A
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.1W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:13900pF@20V
类型:N沟道
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:195nC@10V
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18502Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:33nC@4.5V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:3015pF@25V
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
功率:190W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5070pF@20V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:13900pF@20V
类型:N沟道
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:195nC@10V
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3
功率:6.25W€100W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:62.5A€100A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:8445pF@20V
栅极电荷:194nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:1mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:3015pF@25V
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
功率:190W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD240
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:4300pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:2.7W€150W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3mΩ@20A,10V
连续漏极电流:23A€70A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
功率:6.25W€100W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:7300pF@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:54.8A€219A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
功率:6.25W€100W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:7300pF@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:54.8A€219A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:34A
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3015pF@25V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@20V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3015pF@25V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.3mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: