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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3

    功率:6.25W€100W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:62.5A€100A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:8445pF@20V

    栅极电荷:194nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:5070pF@20V

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    栅极电荷:68nC@10V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:26A€100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD18502Q5BT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:5070pF@20V

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    栅极电荷:33nC@4.5V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047LFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047LFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4047LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    导通电阻:33mΩ@4.4A,10V

    栅极电荷:23.2nC@10V

    输入电容:1382pF@20V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047LFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047LFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4047LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    导通电阻:33mΩ@4.4A,10V

    栅极电荷:23.2nC@10V

    输入电容:1382pF@20V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€100W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:7300pF@20V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:54.8A€219A

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3

    导通电阻:24mΩ@6.8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N和P沟道

    连续漏极电流:8A

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.1W€3.2W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD18502Q5BT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:5070pF@20V

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    栅极电荷:33nC@4.5V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:13900pF@20V

    类型:N沟道

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:195nC@10V

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD18502Q5BT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:5070pF@20V

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    栅极电荷:33nC@4.5V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:805pF@20V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:1.1W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    栅极电荷:55nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:3015pF@25V

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:190W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:5070pF@20V

    类型:N沟道

    功率:3.2W€156W

    栅极电荷:68nC@10V

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:26A€100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:13900pF@20V

    类型:N沟道

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:195nC@10V

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3

    功率:6.25W€100W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:62.5A€100A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:8445pF@20V

    栅极电荷:194nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    栅极电荷:55nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:3015pF@25V

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:190W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD240 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD240 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD240

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:4300pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    功率:2.7W€150W

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:23A€70A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€100W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:7300pF@20V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:54.8A€219A

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€100W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:7300pF@20V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:54.8A€219A

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISB46DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISB46DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    漏源电压:40V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:34A

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:11.71mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1100pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@20V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P04P4L04ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.3mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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