品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:37A€238A
漏源电压:40V
输入电容:4600pF@20V
栅极电荷:64nC@10V
类型:N沟道
功率:3W€125W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:381A
漏源电压:40V
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
输入电容:8400pF@20V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:94nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ021N04LS6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€83W
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
连续漏极电流:25A€40A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
输入电容:2700pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6SCATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
功率:3W€188W
输入电容:8400pF@20V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:48A€381A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LS6ATMA1
栅极电荷:67nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€100A
功率:3W€150W
漏源电压:40V
输入电容:4600pF@20V
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6590A
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:67A€100A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@20A,10V
功率:7.3W€208W
输入电容:8320pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66401
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:82A€400A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:19180pF@20V
功率:8.3W€300W
ECCN:EAR99
导通电阻:0.7mΩ@20A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:340nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.1W€120W
类型:N沟道
连续漏极电流:19A€100A
输入电容:2640pF@20V
栅极电荷:32nC@10V
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD88584Q5DCT
输入电容:12400pF@20V
功率:12W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:0.95mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6590A
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:67A€100A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@20A,10V
功率:7.3W€208W
输入电容:8320pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD88584Q5DCT
输入电容:12400pF@20V
功率:12W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:0.95mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€40A
漏源电压:40V
功率:2.5W€38W
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
输入电容:650pF@20V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.1W€120W
类型:N沟道
连续漏极电流:19A€100A
输入电容:2640pF@20V
栅极电荷:32nC@10V
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ018N04LS6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€83W
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
连续漏极电流:27A€40A
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
输入电容:2700pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LS6ATMA1
栅极电荷:67nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€100A
功率:3W€150W
漏源电压:40V
输入电容:4600pF@20V
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66401
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:82A€400A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:19180pF@20V
功率:8.3W€300W
ECCN:EAR99
导通电阻:0.7mΩ@20A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:340nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"24+":1674}
规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€40A
漏源电压:40V
功率:2.5W€38W
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
输入电容:650pF@20V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ024N04LS6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:24A€40A
类型:N沟道
功率:2.5W€75W
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1800pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:31A€100A
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
输入电容:12900pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:37A€238A
漏源电压:40V
输入电容:4600pF@20V
栅极电荷:64nC@10V
类型:N沟道
功率:3W€125W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€40A
漏源电压:40V
功率:2.5W€38W
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
输入电容:650pF@20V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LS6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:28nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
连续漏极电流:27A€100A
输入电容:1900pF@20V
功率:3W€79W
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.1W€120W
类型:N沟道
连续漏极电流:19A€100A
输入电容:2640pF@20V
栅极电荷:32nC@10V
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
功率:2.5W€5W
输入电容:4000pF@20V
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9.9A€14A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6590A
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:67A€100A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@20A,10V
功率:7.3W€208W
输入电容:8320pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"24+":1674}
规格型号(MPN):BSZ063N04LS6ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€40A
漏源电压:40V
功率:2.5W€38W
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
输入电容:650pF@20V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:31A€100A
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
输入电容:12900pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18510Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
连续漏极电流:300A
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:153nC@10V
导通电阻:0.96mΩ@32A,10V
输入电容:11400pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ500AEP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:27mΩ@6A,10V
类型:N和P沟道
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
输入电容:1850pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: