采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1044pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
连续漏极电流：10A€41A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：15mΩ@10A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1044pF@20V
功率：3.1W€56W
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：1100pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@30µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
功率：3W€30W
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：14A€45A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R3-40YS，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1215pF@20V
漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：8.6mΩ@15A，10V
阈值电压：4V@1mA
功率：74W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04CR RLG
连续漏极电流：10A€41A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：15mΩ@10A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1044pF@20V
功率：3.1W€56W
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：3000}
规格型号(MPN)：FDMA8051L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：2.4W
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1260pF@20V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：1100pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@30µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
功率：3W€30W
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：14A€45A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ148EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
导通电阻：33mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
输入电容：600pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：1100pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@30µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
功率：3W€30W
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：14A€45A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ148EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
导通电阻：33mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
输入电容：600pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：3W€40W
类型：N沟道
连续漏极电流：16A€59A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1200pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{}
规格型号(MPN)：NVD5807NT4G
导通电阻：31mΩ@5A，10V
输入电容：603pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：20nC@10V
功率：33W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L039ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1179pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.02mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8051L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L039ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1179pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.02mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L039ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1179pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.02mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L039ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1179pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.02mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L039ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1179pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.02mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R3-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1215pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
