采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：47nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
功率：3.8W€106W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：47nC@10V
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
功率：3.8W€106W
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工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：47nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：36000}
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：47nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：47nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5mΩ@50A，10V
输入电容：3700pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2V@27µA
类型：N沟道
栅极电荷：47nC@10V
连续漏极电流：18A€85A
功率：2.5W€57W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5803}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：47nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
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栅极电荷：47nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5803}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
