品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3
栅极电荷:800nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:39000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N04S402ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10740pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:1.8mΩ@100A,10V
类型:N沟道
功率:158W
栅极电荷:134nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@110µA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:10117pF@25V
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@130µA
连续漏极电流:120A
功率:187W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6L012ATMA1
阈值电压:2V@60µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:4832pF@25V
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.21mΩ@60A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N013ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:3V@60µA
类型:N沟道
功率:115W
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4260pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.34mΩ@60A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127
漏源电压:40V
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
功率:349W
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
输入电容:11340pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:230nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
功率:375W
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:13980pF@20V
类型:P沟道
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":340,"13+":800,"14+":2229}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK962R1-40E,118
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13160pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
栅极电荷:87.8nC@5V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4S04PB,LXHQ
功率:180W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@60A,6V
工作温度:175℃
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
阈值电压:3V@500µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:10117pF@25V
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@130µA
连续漏极电流:120A
功率:187W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:10117pF@25V
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@130µA
连续漏极电流:120A
功率:187W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1000}
规格型号(MPN):IPB120N04S404ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
功率:79W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4100pF@25V
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@40µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N013ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:3V@60µA
类型:N沟道
功率:115W
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4260pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.34mΩ@60A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":74,"13+":4974}
规格型号(MPN):BUK9E1R9-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3
栅极电荷:800nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:39000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":24458,"08+":6149}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N04S302AKSA1
漏源电压:40V
阈值电压:4V@230µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
功率:300W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:14300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N04S402ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10740pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:1.8mΩ@100A,10V
类型:N沟道
功率:158W
栅极电荷:134nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@110µA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1263}
规格型号(MPN):AUIRFB8405
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:5193pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.9V@100µA
包装方式:管件
功率:163W
栅极电荷:161nC@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":3200,"19+":1000,"20+":2000}
规格型号(MPN):IRL40B215
功率:143W
漏源电压:40V
导通电阻:2.7mΩ@98A,10V
类型:N沟道
输入电容:5225pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.4V@100µA
包装方式:管件
栅极电荷:84nC@4.5V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-40PS,127
栅极电荷:136nC@10V
漏源电压:40V
功率:338W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":3000,"9999":41}
规格型号(MPN):BUK652R6-40C,127
输入电容:11334pF@25V
功率:263W
栅极电荷:199nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:2.8V@1mA
导通电阻:2.7mΩ@25A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R104PB,L1XHQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.14mΩ@60A,10V
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@500µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y2R0-40HX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:217W
类型:N沟道
栅极电荷:90.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2mΩ@25A,10V
阈值电压:3.6V@1mA
输入电容:5450pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120P04P4L03ATMA2
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:234nC@10V
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
类型:P沟道
输入电容:15000pF@25V
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@340µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120P04P404ATMA2
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:3.8mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@340µA
类型:P沟道
栅极电荷:205nC@10V
输入电容:14790pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":0,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFSL7440PBF
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@100µA
包装方式:管件
输入电容:4730pF@25V
栅极电荷:135nC@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120P04P404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14790pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: