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    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    功率:3W€35W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:4230pF@20V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K18-40E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K18-40E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K18-40E,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    功率:38W

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1061pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ504EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ504EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ504EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1900pF@25V€4600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):3000psc

    规格型号(MPN):SQJB46EP-T1_GE3

    包装方式:Reel

    漏源电压:40V

    功率:34W

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:21nC

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3.3V

    类型:MOSFET

    导通电阻:80mΩ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    功率:3W€35W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:4230pF@20V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M15-40HX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M15-40HX

    栅极电荷:16.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:1026pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@1mA

    功率:44W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:31nC@10V

    功率:4.8W€41.7W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1160pF@20V

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    功率:27W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7.3mΩ@7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K8R7-40EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K8R7-40EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K8R7-40EX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    输入电容:1439pF@25V

    阈值电压:4V@1mA

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K8R7-40EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K8R7-40EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K8R7-40EX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    功率:53W

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    功率:19.8W

    输入电容:1780pF@20V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:31nC@10V

    功率:4.8W€41.7W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1160pF@20V

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-40EX

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:798pF@25V

    栅极电荷:7.7nC@5V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    功率:44W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-40EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-40EX

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:798pF@25V

    栅极电荷:7.7nC@5V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    功率:44W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K18-40E,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K18-40E,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K18-40E,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    功率:38W

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1061pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ500AEP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ500AEP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ500AEP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:27mΩ@6A,10V

    类型:N和P沟道

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    输入电容:1850pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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