品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:60A
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
输入电容:3240pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3750pF@20V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N050HATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2个N通道(半桥)
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@13µA
连续漏极电流:60A
功率:52W
导通电阻:5mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1027pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:60A
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
输入电容:3240pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
漏源电压:40V
栅极电荷:125nC@10V
阈值电压:3V@1mA
工作温度:175℃
功率:90W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:60A
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
输入电容:3240pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R714MC,L1XHQ
输入电容:5640pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
工作温度:175℃
阈值电压:2.1V@1mA
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
功率:960mW€132W
栅极电荷:160nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N044ATMA1
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.52mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
连续漏极电流:60A
输入电容:1042pF@25V
阈值电压:3V@14µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3750pF@20V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:60A
功率:27.7W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60P04-TP
功率:110W
输入电容:5.235nF@20V
阈值电压:2.8V@250μA
漏源电压:40V
连续漏极电流:60A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
输入电容:3750pF@20V
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
连续漏极电流:60A
功率:27.7W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR470DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
输入电容:5660pF@20V
栅极电荷:155nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L039ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1179pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.02mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: