品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L07ATMA1
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
阈值电压:2.2V@30µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@22µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6748,"23+":64401,"MI+":10530}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L07ATMA1
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
阈值电压:2.2V@30µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:23.2nC@10V
输入电容:1328pF@20V
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":12090,"24+":1448,"MI+":1557}
规格型号(MPN):IPG20N04S4L11AATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:11.6mΩ@17A,10V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@15µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:1650pF@10V
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:1.2W€38W
工作温度:175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@22µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@22µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@22µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":50,"23+":6868}
规格型号(MPN):IPG20N04S408AATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@22µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD454A
连续漏极电流:20A
导通电阻:30mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€37W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:10.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:650pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L11ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:11.6mΩ@17A,10V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@15µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L11ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:11.6mΩ@17A,10V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@15µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:26W
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1071pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@8µA
导通电阻:18mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S408ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S408AATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":15848,"23+":777052,"24+":51110,"MI+":36564}
规格型号(MPN):IPG20N04S409ATMA1
阈值电压:4V@22µA
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:8.6mΩ@17A,10V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@22µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L11ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:11.6mΩ@17A,10V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@15µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":15848,"23+":777052,"24+":51110,"MI+":36564}
规格型号(MPN):IPG20N04S409ATMA1
阈值电压:4V@22µA
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:8.6mΩ@17A,10V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@22µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
连续漏极电流:20A
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@200µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:175℃
栅极电荷:21nC@10V
功率:840mW€65W
输入电容:1290pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":23388,"24+":4366}
销售单位:个
包装规格(MPQ):5000psc
规格型号(MPN):IPG20N04S418AATMA1
阈值电压:3V
连续漏极电流:20A
包装方式:Reel
漏源电压:40V
功率:26W
导通电阻:18mΩ
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ
连续漏极电流:20A
导通电阻:7.1mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@200µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:175℃
栅极电荷:21nC@10V
功率:840mW€65W
输入电容:1290pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@22µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
功率:54W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S408ATMA1
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
连续漏极电流:20A
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
功率:15.6W
输入电容:565pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:23.2nC@10V
输入电容:1328pF@20V
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: