采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.3mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5948DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：82mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：817，"23+"：14388，"24+"：18556}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L18AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1071pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ912BEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4904DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S408ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH45M5SPDWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€60W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1083pF@20V
连续漏极电流：79A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4902}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC076N04NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ912BEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€39.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：4.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：2.2V@15µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L18AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1071pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K18-40E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1061pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S408AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
