采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2504N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@20V
连续漏极电流：890mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@20V
连续漏极电流：22A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1181pF@20V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2356DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@20V
连续漏极电流：3.2A€4.3A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@3.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：400psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5104TR2PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€114W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4480
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：198W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8845pF@20V
连续漏极电流：280A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5948DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：82mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5158，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@20V
连续漏极电流：27A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA74DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：24A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1181pF@20V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
