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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}

    包装规格(MPQ):700psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1350-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J808R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LXHF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LXHF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP108-TL-H 起订488个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP108-TL-H 起订488个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1978}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP108-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3850pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3G160ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3G160ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3G160ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6250pF@20V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCP8407,LF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCP8407,LF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCP8407,LF

    工作温度:150℃

    功率:690mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:505pF@10V€810pF@10V

    连续漏极电流:5A€4A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":2476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP207-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2710pF@20V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@33A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8JB5TB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8JB5TB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8JB5TB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G110ATTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G110ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@20V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3G160ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3G160ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3G160ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6250pF@20V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K217FE,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K217FE,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.2V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@1A,8V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8JB5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@20V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G180MNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G180MNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G180MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@20V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCP8407,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCP8407,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCP8407,LF

    工作温度:150℃

    功率:690mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:505pF@10V€810pF@10V

    连续漏极电流:5A€4A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G03BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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