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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R005PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R005PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R005PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@22.5V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF016N05TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:29.7A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.83mΩ@15A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R005PL,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R005PL,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R005PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@22.5V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5H020TNTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR150DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR150DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€65.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:30.9A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.71mΩ@15A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R005PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R005PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R005PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@22.5V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5H020TNTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF016N05TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R005PL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R005PL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R005PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@22.5V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030N05HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030N05HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF016N05TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF016N05TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R005PL,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R005PL,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R005PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@22.5V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05HZGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05HZGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020N05HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020N05TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RVQ040N05HZGTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5H020TNTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020N05TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020N05TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R005PL,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R005PL,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R005PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@22.5V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@50A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030N05HZGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030N05HZGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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