销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：180psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA4030

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：40MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：180psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA4030

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：40MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP 52 E6327

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP 52 E6327

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6023

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：6A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：18psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6026

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@12mA，6A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6023

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：6A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1316TL

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：180psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA4030

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：40MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：1000，"18+"：4000，"21+"：687}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP60H6327XTSA1

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1725}

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSD1692YS

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：18psc

规格型号(MPN)：SLA6026

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@12mA，6A

功率：5W

特征频率：50MHz

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

包装方式：管件

集电集截止电流(Icbo)：10µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@6A，4V

集射极击穿电压(Vceo)：60V

工作温度：150℃

集电极电流(Ic)：10A

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP 52 E6327

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@1mA，1A

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电集截止电流(Icbo)：10µA

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：1A

工作温度：150℃

特征频率：200MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

功率：1.5W

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1