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    行业应用: 工业
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 630mA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

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    功率:280mW

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    ECCN:EAR99

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    输入电容:60.67pF@16V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:28
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:28
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

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    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    类型:N-Channel

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:630mA

    包装清单:商品主体 * 1

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