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    行业应用: 工业
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 630mA
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    当前匹配商品:50+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1 起订12个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1 起订12个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012TQ-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:28
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS209PWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS209PWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.2V@3.5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@15V

    连续漏极电流:630mA

    类型:P沟道

    导通电阻:550mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012CR-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012CR-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:396mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
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