品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):HGTD1N120BNS9A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):6A
关断延迟时间:67ns
关断损耗:90µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:14nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.9V@15V,1A
导通损耗:70µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
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ECCN:EAR99
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关断损耗:90µJ
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集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:14nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.9V@15V,1A
导通损耗:70µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
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开启延迟时间:15ns
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栅极电荷:14nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.9V@15V,1A
导通损耗:70µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
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类型:NPT
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导通损耗:70µJ
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关断损耗:90µJ
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栅极电荷:14nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.9V@15V,1A
导通损耗:70µJ
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