采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8812DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：22095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS340NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@1.6µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@15V
连续漏极电流：880mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@880mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SD5401CY SOIC 14L ROHS
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：4个N通道
导通电阻：75Ω@1mA，5V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SD5401CY SOIC 14L ROHS
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：4个N通道
导通电阻：75Ω@1mA，5V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：44000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：1千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：31650，"08+"：28000，"11+"：76000，"13+"：36000，"19+"：56000，"20+"：8000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：173000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL214NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CTC，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ALD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ALD110800APCL
工作温度：0℃~70℃
功率：500mW
阈值电压：10mV@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2.5pF@5V
类型：4N沟道，配对
导通电阻：500Ω@4V
漏源电压：10.6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：35990，"06+"：48000，"08+"：24000，"13+"：200}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6000，"15+"：1695}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD816SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS126H6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.6V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@25V
连续漏极电流：21mA
类型：N沟道
导通电阻：500Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1317DL-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：272pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ALD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ALD910023SAL
工作温度：0℃~+70℃
功率：500mW
阈值电压：2.28V
ECCN：EAR99
包装方式：Tube
连续漏极电流：80mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.3MΩ
漏源电压：10.6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CTC，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
