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    行业应用
    ECCN
    功率
    集射极击穿电压(Vceo)
    行业应用: 工业
    ECCN: EAR99
    功率: 500mW
    当前匹配商品:3100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi 数字晶体管 NSBC123JDXV6T5G 起订6511个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC123JDXV6T5G 起订6511个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"22+":8000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS340NWH6327XTSA1 起订2137个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS340NWH6327XTSA1 起订2137个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":22095}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS340NWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@1.6µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@15V

    连续漏极电流:880mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@880mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems Mosfet场效应管 SD5401CY SOIC 14L ROHS 起订2500个装
    Linear Integrated Systems Mosfet场效应管 SD5401CY SOIC 14L ROHS 起订2500个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SD5401CY SOIC 14L ROHS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:50mA

    类型:4个N通道

    导通电阻:75Ω@1mA,5V

    漏源电压:10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems Mosfet场效应管 SD5401CY SOIC 14L ROHS 起订1个装
    Linear Integrated Systems Mosfet场效应管 SD5401CY SOIC 14L ROHS 起订1个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SD5401CY SOIC 14L ROHS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:50mA

    类型:4个N通道

    导通电阻:75Ω@1mA,5V

    漏源电压:10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA113EDXV6T1 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA113EDXV6T1 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":44000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA114YDXV6T1G 起订6460个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA114YDXV6T1G 起订6460个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":31650,"08+":28000,"11+":76000,"13+":36000,"19+":56000,"20+":8000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL214NL6327HTSA1 起订1050个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL214NL6327HTSA1 起订1050个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":173000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35CTC,L3F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35CTC,L3F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ALD Mosfet场效应管 ALD110800APCL 起订1个装
    ALD Mosfet场效应管 ALD110800APCL 起订1个装

    品牌:ALD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ALD110800APCL

    工作温度:0℃~70℃

    功率:500mW

    阈值电压:10mV@1µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:2.5pF@5V

    类型:4N沟道,配对

    导通电阻:500Ω@4V

    漏源电压:10.6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC115EDXV6T1G 起订6460个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC115EDXV6T1G 起订6460个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"05+":35990,"06+":48000,"08+":24000,"13+":200}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD816SNH6327XTSA1 起订8334个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD816SNH6327XTSA1 起订8334个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6000,"15+":1695}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD816SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS126H6327XTSA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS126H6327XTSA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS126H6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.6V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:28pF@25V

    连续漏极电流:21mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500Ω@16mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:272pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN338P 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN338P 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN338P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    输入电容:451pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR315PH6327XTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR315PH6327XTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@160µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:176pF@25V

    连续漏极电流:620mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@620mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:272pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ALD Mosfet场效应管 ALD910023SAL 起订1个装
    ALD Mosfet场效应管 ALD910023SAL 起订1个装

    品牌:ALD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ALD910023SAL

    工作温度:0℃~+70℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.28V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:80mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.3MΩ

    漏源电压:10.6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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