销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.1V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.3pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@10mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：12pF@10V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：12pF@10V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.1V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.3pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@10mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K37FS，LF

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：12pF@10V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.5pF@3V

连续漏极电流：180mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@50mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.5pF@3V

连续漏极电流：180mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@50mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13.5pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3.6Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.1V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.3pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@10mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13.5pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3.6Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：12pF@10V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.1V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.3pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@10mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.1V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.3pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@10mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.5pF@3V

连续漏极电流：180mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@50mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13.5pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3.6Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.5pF@3V

连续漏极电流：180mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@50mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：12pF@10V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.1V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.3pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@10mA，4V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13.5pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3.6Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F

工作温度：150℃

功率：100mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13.5pF@3V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：3.6Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1