品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":790,"24+":8000}
规格型号(MPN):IPB100N04S303ATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
漏源电压:40V
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.5mΩ@80A,10V
连续漏极电流:100A
输入电容:9600pF@25V
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":420}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPI076N15N5AKSA1
功率:214W
输入电容:4700pF@75V
阈值电压:4.6V@160µA
连续漏极电流:112A
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:7.6mΩ@56A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":19786}
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
功率:214W
连续漏极电流:27A€202A
阈值电压:3.8V@158µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
导通电阻:22mΩ@52A,10V
阈值电压:4V@137µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
输入电容:3680pF@100V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3mΩ@100A,10V
栅极电荷:117nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.5V@155µA
输入电容:8110pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@160µA
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP045N10N3GXKSA1
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
输入电容:8410pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:117nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":146}
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
功率:214W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:124nC@10V
阈值电压:3.3V@143µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
生产批次:{"21+":405}
规格型号(MPN):IPI111N15N3GAKSA1
功率:214W
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@160µA
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
导通电阻:22mΩ@52A,10V
阈值电压:4V@137µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
输入电容:3680pF@100V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":377,"21+":492}
规格型号(MPN):IPB160N04S3H2ATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@80A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:9600pF@25V
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT026N10N5ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@50V
功率:214W
连续漏极电流:27A€202A
阈值电压:3.8V@158µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:2.6mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":198,"MI+":37}
规格型号(MPN):IPB073N15N5ATMA1
连续漏极电流:114A
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
输入电容:4700pF@75V
导通电阻:7.3mΩ@57A,10V
阈值电压:4.6V@160µA
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@160µA
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":15500}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP034NE7N3GXKSA1
漏源电压:75V
功率:214W
阈值电压:3.8V@155µA
类型:N沟道
输入电容:8130pF@37.5V
栅极电荷:117nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
功率:214W
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@160µA
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
输入电容:2159pF@25V
功率:214W
导通电阻:75mΩ@18A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
导通电阻:22mΩ@52A,10V
阈值电压:4V@137µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
输入电容:3680pF@100V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC012N06NSATMA1
阈值电压:3.3V@147µA
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
输入电容:11000pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
栅极电荷:143nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:36A€306A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF023N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@139µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@40V
连续漏极电流:209A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF023N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@139µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@40V
连续漏极电流:209A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB073N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@57A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@136µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":377,"21+":492}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S3H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034NE7N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8130pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":198,"MI+":37}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB073N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@57A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB035N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: