品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC118N10NSGATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:3700pF@50V
功率:114W
连续漏极电流:11A€71A
导通电阻:11.8mΩ@50A,10V
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@70µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":99000}
包装规格(MPQ):1000psc
规格型号(MPN):IPB65R115CFD7AATMA1
阈值电压:4V
包装方式:Reel
连续漏极电流:21A
工作温度:-40℃~+150℃
导通电阻:115mΩ
漏源电压:650V
功率:114W
栅极电荷:41nC
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@75µA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7mΩ@50A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
栅极电荷:55nC@10V
功率:114W
ECCN:EAR99
输入电容:4000pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
连续漏极电流:22A
漏源电压:650V
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:1942pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
连续漏极电流:22A
漏源电压:650V
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:1942pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@75µA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7mΩ@50A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
栅极电荷:55nC@10V
功率:114W
ECCN:EAR99
输入电容:4000pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R115CFD7AATMA1
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
阈值电压:4.5V@490µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
输入电容:1950pF@400V
漏源电压:650V
功率:114W
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@75µA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:7mΩ@50A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
栅极电荷:55nC@10V
功率:114W
ECCN:EAR99
输入电容:4000pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC118N10NSGATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:3700pF@50V
功率:114W
连续漏极电流:11A€71A
导通电阻:11.8mΩ@50A,10V
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@70µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC123N10LSGATMA1
连续漏极电流:10.6A€71A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@72µA
输入电容:4900pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
功率:114W
导通电阻:12.3mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC118N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@50V
连续漏极电流:11A€71A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC118N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@50V
连续漏极电流:11A€71A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC123N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:10.6A€71A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC123N10LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@50V
连续漏极电流:10.6A€71A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC118N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@50V
连续漏极电流:11A€71A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: