包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4893}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST3D3N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：157A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP030N06NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：68nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：119A

类型：MOSFET

导通电阻：3.05mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM40020EL_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：17.8mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4893}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST3D3N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：157A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

漏源电压：40V

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包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N03CT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：337A

类型：MOSFET

导通电阻：740μΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N03CT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：337A

类型：MOSFET

导通电阻：740μΩ

漏源电压：30V

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包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N03CT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

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栅极电荷：50nC

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连续漏极电流：337A

类型：MOSFET

导通电阻：740μΩ

漏源电压：30V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N03CT1G

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功率：150W

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栅极电荷：50nC

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连续漏极电流：337A

类型：MOSFET

导通电阻：740μΩ

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

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生产批次：{"22+"：4893}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST3D3N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：157A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N03CT1G

漏源电压：30V

包装方式：Reel

阈值电压：2.2V

功率：150W

连续漏极电流：337A

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栅极电荷：50nC

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

导通电阻：740μΩ

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生产批次：{"22+"：1000}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP030N06NF2SAKMA1

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功率：150W

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栅极电荷：68nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：119A

类型：MOSFET

导通电阻：3.05mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N03CT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：337A

类型：MOSFET

导通电阻：740μΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP030N06NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：68nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：119A

类型：MOSFET

导通电阻：3.05mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP030N06NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：68nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：119A

类型：MOSFET

导通电阻：3.05mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP030N06NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：68nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：119A

类型：MOSFET

导通电阻：3.05mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP030N06NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：68nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：119A

类型：MOSFET

导通电阻：3.05mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP030N06NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：68nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：119A

类型：MOSFET

导通电阻：3.05mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP030N06NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：68nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：119A

类型：MOSFET

导通电阻：3.05mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1