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    品牌
    ON SEMI 强茂 NEXPERIA VISHAY QORVO INFINEON
    行业应用
    工业
    ECCN
    EAR99
    工作温度
    -55°C~175°C（TJ）
    包装方式
    卷带（TR） 管件
    类型
    2 N-通道（双） 2 个 N 通道（半桥） P 通道 N 通道
    功率
    125W（Tc） 45W（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） 75W（Tc） 48W（Tc） 136W（Tc） 180W（Tc） 15W（Tc） 179W（Tc） 137W（Tc） 70W（Tc） 625mW（Ta），5.4W（Tc） 68W（Tc） 300W（Tc） 375W（Tc） 50W（Tc） 166.7W（Tc） 278W（Tc） 47W（Tc） 190W（Tc） 105W（Tc） 48.4W（Tj） 429W（Tc） 3.8W（Ta），167W（Tc） 66W（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） 517W（Tc） 333W（Tc） 326W（Tc） 3.8W（Ta），37W（Tc） 91W（Tc） 58W（Tc） 310W（Tc） 107W（Tc） 115W（Tc） 254.2W（Tc） 72W（Tc） 155W（Tc） 85W（Tc） 238W（Ta） 429W（Tj） 714W（Tc） 3.1W（Ta），45W（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） 135W（Tc） 22W（Tc） 3.5W（Ta），44.1W（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） 100W（Tc） 242W（Tc） 110W（Tc） 42W（Tc） 294W（Tc） 263W（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） 268W（Tc） 238W（Tc） 56W（Tc） 441W（Tc） 79W（Tc） 41W（Tc） 1.4W（Ta），68W（Tc） 188W（Tc） 3.8W（Ta），42W（Tc） 3.9W（Ta），113W（Tc）
    阈值电压
    1V @ 250µA 4V @ 250µA 2.1V @ 1mA 4V @ 1mA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.2V @ 1mA 2V @ 250µA 2V @ 253µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 1mA 2.4V @ 255µA 2V @ 135µA 1.95V @ 1mA 2.8V @ 143µA 2.3V @ 50µA 3V @ 18µA 3.8V @ 125µA 2V @ 25µA 4V @ 270µA 4V @ 100µA 2.2V @ 30µA 3.8V @ 66µA 5.5V @ 10mA 4.9V @ 100µA 2V @ 85µA 4V @ 223µA 3.5V @ 73µA 3.8V @ 275µA 3.8V @ 27µA 2.2V @ 40µA 3.5V @ 270µA 2.45V @ 1mA 4V @ 1.7mA 6V @ 10mA
    栅极电荷
    19 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 163 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 3.8 nC @ 10 V 80 nC @ 20 V 280 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V 11 nC @ 10 V 35nC @ 10V 37.8 nC @ 15 V 27 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 5.7nC @ 4.5V 92 nC @ 10 V 9.4 nC @ 5 V 164 nC @ 15 V 55 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 218 nC @ 15 V 49 nC @ 10 V 40 nC @ 20 V 30 nC @ 15 V 106 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 37.2 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 6.8 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V 46 nC @ 15 V 167 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 296 nC @ 10 V 23 nC @ 12 V 51 nC @ 15 V 27 nC @ 15 V 18.6 nC @ 10 V 50 nC @ 4.5 V 240 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 231 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 23 nC @ 4.5 V 43 nC @ 12 V 103 nC @ 10 V
    漏源电压
    200V 40V 55V 1200V 100V 650V 25V 50V 60V 30V 80V 150V 750V 75V
    连续漏极电流
    150A（Tc） 16A（Tc） 100A（Tc） 40A（Tc） 15A（Ta），73A（Tc） 31A（Tc） 30A（Tc） 18A（Tc） 10A（Tc） 15A（Tc） 14A（Tc） 35A（Tc） 80A（Tc） 55A（Tc） 12A（Tc） 50A（Tc） 1.8A（Ta） 17A（Tc） 89A（Tc） 12A（Ta），49A（Tc） 70A（Tc） 54A（Tc） 5.4A（Ta） 9.4A（Ta），34.6A（Tc） 31A（Ta），192A（Tc） 11.3A（Ta），79A（Tc） 107A（Tc） 28.8A（Tc） 410A（Tj） 8A（Ta） 33A（Tc） 79A（Tc） 34.5A（Tc） 14A（Ta），68A（Tc） 36A（Ta），235A（Tc） 110A（Tc） 100A（Ta） 18.4A（Tc） 9.9A（Ta），50A（Tc） 8.83A（Ta） 12A（Ta），80A（Tc） 195A（Tc） 75A（Tc） 28A（Tc） 10.5A（Tc） 117A（Tc） 61A（Tc） 300A（Tc） 49A（Tc） 60A（Tj） 65A（Tc） 85A（Tc） 25A（Tc） 158A（Tc） 120A（Tc） 164A（Tc） 12A（Ta），36A（Tc） 82A（Tj） 7.6A（Tc） 19A（Tc） 1.4A（Ta），3.7A（Tc） 4A（Ta），29A（Tc） 29A（Ta），120A（Tc） 28A（Ta），120A（Tc） 31A（Ta），164A（Tc）
    行业应用： 工业
    ECCN： EAR99
    工作温度： -55°C~175°C（TJ）
    当前匹配商品：300+
    重置
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2500个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD8876

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：70W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：47 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V

    漏源电压：30V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：50 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流：16A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订150个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDBL9401-F085

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：429W（Tj）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：296 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：15900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：300A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    QORVO Mosfet场效应管 UJ3C065080B3 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ3C065080B3 起订1个装

    品牌：QORVO

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：800psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：UJ3C065080B3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：6V @ 10mA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：51 nC @ 15 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1500 pF @ 100 V

    连续漏极电流：25A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V

    漏源电压：650V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：50 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流：16A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    QORVO Mosfet场效应管 UF3SC120016K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF3SC120016K4S 起订1个装

    品牌：QORVO

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：30psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：UF3SC120016K4S

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：517W（Tc）

    阈值电压：6V @ 10mA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：218 nC @ 15 V

    包装方式：管件

    输入电容：7824 pF @ 800 V

    连续漏极电流：107A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：21毫欧 @ 50A，12V

    漏源电压：1200V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQP17P06

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：79W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：27 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：120 毫欧 @ 8.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    QORVO Mosfet场效应管 UJ4SC075006K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4SC075006K4S 起订1个装

    品牌：QORVO

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：30psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：UJ4SC075006K4S

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：714W（Tc）

    阈值电压：6V @ 10mA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：164 nC @ 15 V

    包装方式：管件

    输入电容：8374 pF @ 400 V

    连续漏极电流：120A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：7.4 毫欧 @ 80A，12V

    漏源电压：750V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065040K3S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065040K3S 起订1个装

    品牌：QORVO

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    包装规格(MPQ)：30psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：UF3C065040K3S

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：326W（Tc）

    阈值电压：6V @ 10mA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：51 nC @ 15 V

    包装方式：管件

    输入电容：1500 pF @ 100 V

    连续漏极电流：54A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：52 毫欧 @ 40A，12V

    漏源电压：650V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：RFD16N05SM9A

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：72W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：80 nC @ 20 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：16A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：47 毫欧 @ 16A，10V

    漏源电压：50V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 SFP9530 起订231个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFP9530 起订231个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    生产批次：{"22+"：694}

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SFP9530

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：66W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：38 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：1035 pF @ 25 V

    连续漏极电流：10.5A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：300 毫欧 @ 5.3A，10V

    漏源电压：100V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065030K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF3C065030K4S 起订1个装

    品牌：QORVO

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    包装规格(MPQ)：30psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：UF3C065030K4S

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：441W（Tc）

    阈值电压：6V @ 10mA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：43 nC @ 12 V

    包装方式：管件

    输入电容：1500 pF @ 100 V

    连续漏极电流：85A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：35 毫欧 @ 50A，12V

    漏源电压：650V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    QORVO Mosfet场效应管 UJ3C065030B3 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ3C065030B3 起订1个装

    品牌：QORVO

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    包装规格(MPQ)：800psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：UJ3C065030B3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：242W（Tc）

    阈值电压：6V @ 10mA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：51 nC @ 15 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1500 pF @ 100 V

    连续漏极电流：65A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：35 毫欧 @ 50A，12V

    漏源电压：650V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：95 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流：30A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：800psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQB55N10TM

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：3.75W（Ta），155W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：98 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2730 pF @ 25 V

    连续漏极电流：55A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V

    漏源电压：100V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订943个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4806NT4G 起订943个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    生产批次：{"12+"：6944，"16+"：30000，"17+"：1735}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NVD4806NT4G

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：1.4W（Ta），68W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：23 nC @ 4.5 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2142 pF @ 12 V

    连续漏极电流：11.3A（Ta），79A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：6 毫欧 @ 30A，10V

    漏源电压：30V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订359个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订359个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    生产批次：{"23+"：16300，"MI+"：5000}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD2572

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：135W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：34 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1770 pF @ 25 V

    连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V

    漏源电压：150V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：50 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流：16A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2572 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD2572

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：135W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：34 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1770 pF @ 25 V

    连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V

    漏源电压：150V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB047N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB047N10 起订1个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：800psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDB047N10

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：375W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：210 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：15265 pF @ 25 V

    连续漏极电流：120A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：4.7 毫欧 @ 75A，10V

    漏源电压：100V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：800psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQB55N10TM

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：3.75W（Ta），155W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：98 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2730 pF @ 25 V

    连续漏极电流：55A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V

    漏源电压：100V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：HUF76423P3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：85W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：34 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流：35A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8876 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD8876

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：70W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：47 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1700 pF @ 15 V

    连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V

    漏源电压：30V

    包装清单：商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPA028N08N3GXKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA028N08N3GXKSA1 起订5000个装

    品牌：INFINEON

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    生产批次：{"12+"：5810，"14+"：523，"16+"：7432，"17+"：254，"19+"：453，"20+"：480，"22+"：500，"23+"：350，"9999"：23，"MI+"：500}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：IPA028N08N3GXKSA1

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：42W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 270µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：206 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：14200 pF @ 40 V

    连续漏极电流：89A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.8 毫欧 @ 89A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订1000个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：RFD16N05SM9A

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：72W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：80 nC @ 20 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：16A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：47 毫欧 @ 16A，10V

    漏源电压：50V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPA028N08N3GXKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA028N08N3GXKSA1 起订1000个装

    品牌：INFINEON

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    生产批次：{"12+"：5810，"14+"：523，"16+"：7432，"17+"：254，"19+"：453，"20+"：480，"22+"：500，"23+"：350，"9999"：23，"MI+"：500}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：IPA028N08N3GXKSA1

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：42W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 270µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：206 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：14200 pF @ 40 V

    连续漏极电流：89A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.8 毫欧 @ 89A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPA028N08N3GXKSA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA028N08N3GXKSA1 起订300个装

    品牌：INFINEON

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    生产批次：{"12+"：5810，"14+"：523，"16+"：7432，"17+"：254，"19+"：453，"20+"：480，"22+"：500，"23+"：350，"9999"：23，"MI+"：500}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：IPA028N08N3GXKSA1

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：42W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 270µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：206 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：14200 pF @ 40 V

    连续漏极电流：89A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.8 毫欧 @ 89A，10V

    漏源电压：80V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9401-F085 起订300个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDBL9401-F085

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：429W（Tj）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：296 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：15900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：300A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：95 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流：30A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：40V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ415EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：SQJ415EP-T1_GE3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：95 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：6000 pF @ 25 V

    连续漏极电流：30A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：14 毫欧 @ 10A，10V

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